IPD50P04P413ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD50P04P413ATMA2 توسط Infineon و IPB120P04P4L03ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 ✓ فعال
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD50P04P413ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 40 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت