IPD60N10S412ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60N10S412ATMA1 tarafından Infineon ve IPC50N04S5L5R5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60N10S412ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (2 + Tab) —
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Peak Reflow Temperature 260 C 260 °C
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) Qualified (automotive grade)
RoHS Durumu Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Klorürsüz Yes (per Infineon definition) —
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin