IPD60N10S412ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60N10S412ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPC50N04S5L5R5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 - 100V 60A N-Channel MOSFET | Infineon | Auto

IPD60N10S412ATMA1 - 100V 60A N-Channel MOSFET | Infineon | Auto

IPD60N10S412ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60N10S412ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) —
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Peak Reflow Temperature 260 C 260 °C
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) Qualified (automotive grade)
RoHS اسٹیٹس Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon definition) —
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں