IPD60R360P7ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R360P7ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R360P7ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 360 mΩ —
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C 41 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Storage Temperature -55°C to +150°C —
Paket / Kas PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ 3.5 V (typ) —
ESD Protection (HBM) >2 kV (per datasheet) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD20) —
RoHS Compliance Compliant —
Qualification Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Paket — PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
RoHS Durumu — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin