IPD60R360P7ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R360P7ATMA1 توسط Infineon و ISC015N06NM5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD60R360P7ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 360 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C | 41 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55°C to +150°C | — |
| Storage Temperature | -55°C to +150°C | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ | 3.5 V (typ) | — |
| ESD Protection (HBM) | >2 kV (per datasheet) | — |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD20) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Qualification | Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| بسته‌بندی | — | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| محدوده دمای کاری | — | -55 C to +175 C |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |