IPD60R380C6ATMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R380C6ATMA1 tarafından Infineon ve IPD65R225C7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R380C6ATMA1 IPD65R225C7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction Super-junction (SJ) / CoolMOS
FET Type N-Channel —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS C7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 11 A
Power Dissipation (PD) at TC — 63 W
On-Resistance RDS(on) max — 225 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C
Pin Sayısı — 3 (2 + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin