IPD60R380C6ATMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R380C6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD65R225C7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD60R380C6ATMA1 | IPD65R225C7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 10.6 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 380 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 83 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -55C to +150C | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature] | — |
| Technology | CoolMOS C6 Superjunction | Super-junction (SJ) / CoolMOS |
| FET Type | N-Channel | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Drain-Tab Connection | Exposed pad (electrically connected to drain) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS C7 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 11 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 63 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 225 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +150°C |
| پنز کی تعداد | — | 3 (2 + tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |