IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R600PFD7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPD60R1K0PFD7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS PFD7 CoolMOS PFD7 consumer / superjunction
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS) CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55°C to +150°C (Tj) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Reel Quantity 2500 —
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4.7 A
Power Dissipation (PD) at TC — 26 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1 Ω @ VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max gate-source)
Gate Charge (QG) — 6 nC @ VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 230 pF @ 400 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (TJ)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (full enhancement)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin