IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD60R600PFD7SAUMA1 bằng Infineon và IPD60R1K0PFD7SAUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD60R600PFD7SAUMA1 | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS PFD7 | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 6 A (Tc) | — |
| R_DS(on) Max | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 8.5 nC | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 8 pF @ 400 V | — |
| Power Dissipation (P_D) | 31 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C (Tj) | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Reel Quantity | 2500 | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4.7 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 26 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1 Ω @ VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | ±20 V (max gate-source) |
| Gate Charge (QG) | — | 6 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 230 pF @ 400 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full enhancement) |