IPD70N10S312ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD70N10S312ATMA1 tarafından Infineon ve IPD082N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD70N10S312ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
Product Family OptiMOS-T Power-Transistor —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Input Capacitance (Ciss) 4355 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 65 nC @ 10 V [DATA_NEEDED: Qg typical]
Operating Temperature (TJ) -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260 °C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % (per datasheet) —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Technology — OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Durumu — Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin