IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R1K4P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R145CFD7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD80R1K4P7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology N-Channel Superjunction CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Güç Tüketimi (Ptot) 32 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket PG-TO252-2 (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain/Tab, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Durumu Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes —
Body Diode Integrated, fast recovery Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin