IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD80R1K4P7ATMA1 توسط Infineon و IPD60R145CFD7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD80R1K4P7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology N-Channel Superjunction CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
اتلاف توان (Ptot) 32 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-TO252-2 (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
تعداد پایه 3 (Gate, Drain/Tab, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes —
Body Diode Integrated, fast recovery Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت