IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD80R1K4P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R145CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD80R1K4P7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology N-Channel Superjunction CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
پاور ڈسپیشن (Ptot) 32 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج PG-TO252-2 (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain/Tab, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes —
Body Diode Integrated, fast recovery Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (junction)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں