IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN70R1K4P7SATMA1 tarafından Infineon ve IPN60R2K0PFD7SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Aktif
Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN70R1K4P7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS P7 CoolMOS PFD7
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 700 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing)
Total Power Dissipation (PD) at TC 6.2 W —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) CoolMOS superjunction
Paket PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223-3-1 (SOT-223)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration Single with built-in diode —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
DPAK Footprint Compatible Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) —
RoHS Durumu Compliant Compliant (per Newark listing)
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 3 A
Power Dissipation (Tc) — 6 W
RDS(on) typical @ VGS=10V — 2.0 Ohm
RDS(on) max @ VGS=10V — 1.626 Ohm (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 134 pF @ 400 V (per UTMel listing)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin