IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPN70R1K4P7SATMA1 bằng Infineon và IPN60R2K0PFD7SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPN70R1K4P7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS P7 CoolMOS PFD7
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 700 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing)
Total Power Dissipation (PD) at TC 6.2 W —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) CoolMOS superjunction
Hộp PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223-3-1 (SOT-223)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (TJ) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration Single with built-in diode —
Số chân 3 (Gate, Drain, Source) —
DPAK Footprint Compatible Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (per Newark listing)
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 3 A
Power Dissipation (Tc) — 6 W
RDS(on) typical @ VGS=10V — 2.0 Ohm
RDS(on) max @ VGS=10V — 1.626 Ohm (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 134 pF @ 400 V (per UTMel listing)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá