IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN80R4K5P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPN70R1K4P7SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN80R4K5P7ATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
Paket PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (CoolMOS P7)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Product Series — CoolMOS P7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1.4 ohm class (per '1K4' suffix)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Power Dissipation (PD) at TC — 6.2 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (TJ)
Configuration — Single with built-in diode
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
DPAK Footprint Compatible — Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin