IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN80R4K5P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPN70R1K4P7SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPN80R4K5P7ATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
پیکیج PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (CoolMOS P7)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Product Series — CoolMOS P7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1.4 ohm class (per '1K4' suffix)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Power Dissipation (PD) at TC — 6.2 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (TJ)
Configuration — Single with built-in diode
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
DPAK Footprint Compatible — Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں