IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPN80R4K5P7ATMA1 توسط Infineon و IPN70R1K4P7SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPN80R4K5P7ATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
بسته‌بندی PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (CoolMOS P7)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Product Series — CoolMOS P7
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1.4 ohm class (per '1K4' suffix)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Power Dissipation (PD) at TC — 6.2 W
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (TJ)
Configuration — Single with built-in diode
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)
DPAK Footprint Compatible — Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت