IPT015N10N5ATMA1 vs IPT026N10N5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT015N10N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPT026N10N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT015N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 Trench (OptiMOS 5)
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Paket PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single Single with built-in diode
İşletim Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 27 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V — 2.6 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) — 214 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (TJ)
Number of Terminals — 8
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: typical Qg]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin