IPT015N10NF2SATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT015N10NF2SATMA1 tarafından Infineon ve IPTG025N15NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT015N10NF2SATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
Paket PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi [DATA_NEEDED: EAS value] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin