IPT015N10NF2SATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT015N10NF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور IPTG025N15NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPT015N10NF2SATMA1 | IPTG025N15NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) |
| پیکیج | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-HSOG-8-1 (TOLG) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| سنگل پلس ایوالانچ انرجی | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 26 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 264 A (pulsed) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 395 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ | — | 2.5 mOhm at VGS=10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Solder Joint Reliability | — | Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK |