IPT022N10NF2SATMA1 vs IRFS4227TRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT022N10NF2SATMA1 tarafından Infineon ve IRFS4227TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 - 100V 2.2mΩ StrongIRFET 2 N-MOSFET | Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPT022N10NF2SATMA1 | IRFS4227TRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | StrongIRFET 2 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 236 A | — |
| Typical RDS(on) at VGS=10V | 2.2 mΩ | — |
| Power Dissipation at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 250 W | — |
| Paket | PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET | HEXFET, IR MOSFET |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | -40C to +150C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | 70 nC |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc = 25C | — | 62 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ Tc = 25C | — | 330 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS = 10V | — | 26 mOhm |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±30 V |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Case Connection | — | DRAIN |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |
| Key Application | — | PDP Sustain / Energy Recovery Switch |