IQDH35N03LM5SCATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH35N03LM5SCATMA1 tarafından Infineon ve BSZ068N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQDH35N03LM5SCATMA1 BSZ068N06NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Paket PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
MSL Seviyesi 1 (unlimited) MSL1
RoHS Durumu Compliant —
Marking IQDH35N03LM5S —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mΩ @ VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 46 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, halogen-free

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin