IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH88N06LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQE022N06LM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +150C |
| Paket | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 9 (with exposed pad) | 9 (PG-WHTFN-9) |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 24 A |
| Maximum Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Maximum Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | — | 2.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V (typ) |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |