IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE022N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (TJ) -55C to +150C
پیکیج PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-WHTFN-9 (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 9 (with exposed pad) 9 (PG-WHTFN-9)
Cooling Dual-side cooling capable —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (TC) — 151 A
Continuous Drain Current (TA) — 24 A
Maximum Power Dissipation (TC) — 100 W
Maximum Power Dissipation (TA) — 2.5 W
RDS(on) Maximum at VGS=10V — 2.2 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.3 V (typ)
Technology Family — OptiMOS 5

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں