IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQDH88N06LM5CGSCATMA1 توسط Infineon و IQE022N06LM5CGSCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| جریان پیوسته درین (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| اتلاف توان (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 9 (with exposed pad) | 9 (PG-WHTFN-9) |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 24 A |
| Maximum Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Maximum Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | — | 2.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V (typ) |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |