IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPTC039N15NM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE220N15NM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IPTC039N15NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ AktifInfineon
IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IPTC039N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | — |
| Paket | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 5 trench |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 190 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 319 W |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 3.9 mOhm |
| Gate Charge Qg typical | — | 74 nC |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Cooling | — | Top-side cooled (case above PCB) |