IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPTC039N15NM5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE220N15NM5CGSCATMA1 bằng Infineon và IPTC039N15NM5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IPTC039N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | — |
| Hộp | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 5 trench |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 190 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 319 W |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 3.9 mOhm |
| Gate Charge Qg typical | — | 74 nC |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Cooling | — | Top-side cooled (case above PCB) |