IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE220N15NM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQE050N08NM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) 7 A —
Continuous Drain Current at Tc (ID) 44 A —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 100 W —
On-Resistance (RDS(on)) 22 milliohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V —
Paket PG-WHTFN-9 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5, Source-Down OptiMOS 5 (trench)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction, typical)
RoHS Durumu Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 99 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.0 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Power Dissipation at TC (PD) — 100 W
Total Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant
MSL Seviyesi — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin