IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE220N15NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE050N08NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ فعالInfineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 - 80V 99A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IQE050N08NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 80 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | — |
| پیکیج | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 5 (trench) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55C to +175C (junction, typical) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 99 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.0 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.8 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation at TC (PD) | — | 100 W |
| Total Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-free, RoHS compliant |
| MSL لیول | — | 1 |