IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs ISC009N06NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 tarafından Infineon ve ISC009N06NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC009N06NM6ATMA1 ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ISC009N06NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 6 60 V
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 degrees C to +175 degrees C -55 °C to +175 °C
Paket PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C — 344 A
Power Dissition (PD) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 221 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=10 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V]
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
MSL Seviyesi — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Klorürsüz — Yes
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin