IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs ISC009N06NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC009N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC009N06NM6ATMA1 ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ISC009N06NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 6 60 V
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 degrees C to +175 degrees C -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C — 344 A
Power Dissition (PD) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 221 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=10 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V]
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
MSL لیول — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
ہیلوجن فری — Yes
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں