IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs ISC009N06NM6ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 توسط Infineon و ISC009N06NM6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISC009N06NM6ATMA1 ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ISC009N06NM6ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 6 60 V
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
محدوده دمای کاری -55 degrees C to +175 degrees C -55 °C to +175 °C
بسته‌بندی PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C — 344 A
Power Dissition (PD) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 221 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=10 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V]
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
سطح MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
بدون هالوژن — Yes
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت