IQFH55N04NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQFH55N04NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IQDH35N03LM5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQFH55N04NM6ATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C 53 A —
Pulsed Drain Current @ TC=25°C 451 A —
Static R_DS(on) (typ) 0.55 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 214 W —
Paket PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
RoHS Durumu Compliant Compliant
AEC-Q100 [DATA_NEEDED: automotive qualification status] —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin