IRF1407PBF vs IRFB4110PBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1407PBF tarafından Infineon ve IRFB4110PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF1407PBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | — | In Stock |
| Birim Fiyat (USD) | — | $1,55 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (stripe-planar MOSFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 130 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 330 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 7.8 mOhm (typical) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] | — |
| Gate Charge (Qg) | 160 nC (typical) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | TO-220AB (through-hole, 3 leads) | TO-220AB (through-hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS Durumu | — | Compliant (Pb-free suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |