IRF1407PBF vs IRFB4110PBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRF1407PBF توسط Infineon و IRFB4110PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRF1407PBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (stripe-planar MOSFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 130 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 330 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 7.8 mOhm (typical) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] | — |
| Gate Charge (Qg) | 160 nC (typical) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | — |
| بسته‌بندی | TO-220AB (through-hole, 3 leads) | TO-220AB (through-hole) |
| نوع نصب | Through Hole | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (Pb-free suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |