IRF4905STRLPBF vs IRF9540NSTRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905STRLPBF tarafından Infineon ve IRF9540NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF4905STRLPBF | IRF9540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -74 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -260 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | 64.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 170 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET, Advanced Process |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Product Type | — | Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | -23 A (at Tc) |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | 117 mOhm max |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 110 W |
| Polarity | — | P-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead Finish | — | Pb-free, RoHS-compliant |
| Shipping Media | — | Tape and Reel (TR suffix) |