IRF7380TRPBF vs IRF7341GTRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7380TRPBF tarafından Infineon ve IRF7341GTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7380TRPBF | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7380TRPBF | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) | Dual N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.6 A | 5.1 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 73 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Technology | IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) | IR HEXFET Planar MOSFET |
| Total Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Paket | SO-8 (8-SO, SOIC-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +150 C | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free plating, suffix PBF) | — |
| Packaging | Tape & Reel (suffix TR) | — |
| Primary Application | High-frequency DC-DC converters | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) | — | 2.4 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |