IRF7380TRPBF vs IRF7341GTRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF7380TRPBF bằng Infineon và IRF7341GTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF7380TRPBF | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7380TRPBF | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) | Dual N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.6 A | 5.1 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 73 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Technology | IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) | IR HEXFET Planar MOSFET |
| Total Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Hộp | SO-8 (8-SO, SOIC-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free plating, suffix PBF) | — |
| Packaging | Tape & Reel (suffix TR) | — |
| Primary Application | High-frequency DC-DC converters | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) | — | 2.4 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |