IRF7380TRPBF vs IRF7341GTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7380TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7341GTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7380TRPBF IRF7341GTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7380TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.6 A 5.1 A
On-Resistance RDS(on) max 73 mOhm at VGS = 10 V —
Technology IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) IR HEXFET Planar MOSFET
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
پیکیج SO-8 (8-SO, SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free plating, suffix PBF) —
Packaging Tape & Reel (suffix TR) —
Primary Application High-frequency DC-DC converters —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں