IRFR024NTRPBF vs IRFR5505TRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR024NTRPBF tarafından Infineon ve IRFR5505TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR024NTRPBF | IRFR5505TRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Product Series | HEXFET Power MOSFET (5th generation) | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (at TC = 25 C) | -18 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 45 W (at TC = 25 C) | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free / PbF terminations) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Polarity | — | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | -55 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 110 mOhm (VGS = -10 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21.3 nC |
| Power Dissipation (PD) | — | 57 W (Tc = 25 °C) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: RθJC] |
| Technology | — | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |