IRFR024NTRPBF vs IRFR5505TRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFR024NTRPBF bằng Infineon và IRFR5505TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFR024NTRPBF | IRFR5505TRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Product Series | HEXFET Power MOSFET (5th generation) | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (at TC = 25 C) | -18 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 45 W (at TC = 25 C) | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Hộp | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free / PbF terminations) | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Polarity | — | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | -55 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 110 mOhm (VGS = -10 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21.3 nC |
| Power Dissipation (PD) | — | 57 W (Tc = 25 °C) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: RθJC] |
| Technology | — | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |