IRFZ48NPBF vs IRFB7545PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFZ48NPBF tarafından Infineon ve IRFB7545PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFZ48NPBF IRFB7545PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 380 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55C to +175C
Paket TO-220AB (through-hole) TO-220AB (Through-Hole)
Montaj Türü Through Hole Through Hole (THT)
Technology HEXFET (advanced planar) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
RoHS Durumu Compliant —
Qualification Standard Industrial market —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7545PBF
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
MSL Seviyesi — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin