IRFZ48NSTRLPBF vs IRF640NSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFZ48NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRF640NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFZ48NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 44.7 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin