IRFZ48NSTRLPBF vs IRF640NSTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ48NSTRLPBF מאת Infineon ו IRF640NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFZ48NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 44.7 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
טווח טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר