IRFZ48NSTRLPBF vs IRF640NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ48NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF640NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ48NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 44.7 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں