IRL2910STRLPBF vs IRL2910STRRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRL2910STRLPBF tarafından Infineon ve IRL2910STRRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRL2910STRLPBF | IRL2910STRRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (Infineon/IR) | IR MOSFET™ (Planar HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 55 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | 26 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | Logic-level (1V-2V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 93.3 nC | — |
| Power Dissipation @ TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation @ TC=25C | 200 W | — |
| Paket | D2PAK (TO-263) Surface Mount | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (TJ) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Klorürsüz | Compliant (per GlobalSpec) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 55 A |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | — | 26 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 200 W |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Terminal Finish | — | Matte Tin over Nickel |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Yes (PBF suffix) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |