IRL2910STRLPBF vs IRL2910STRRPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRL2910STRLPBF توسط Infineon و IRL2910STRRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRL2910STRLPBF | IRL2910STRRPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (Infineon/IR) | IR MOSFET™ (Planar HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 55 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | 26 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | Logic-level (1V-2V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 93.3 nC | — |
| Power Dissipation @ TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation @ TC=25C | 200 W | — |
| بسته‌بندی | D2PAK (TO-263) Surface Mount | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C (TJ) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Compliant (per GlobalSpec) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 55 A |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | — | 26 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 200 W |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| Terminal Finish | — | Matte Tin over Nickel |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Yes (PBF suffix) |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |