IRL2910STRLPBF vs IRL2910STRRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRL2910STRLPBF bằng Infineon và IRL2910STRRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IRL2910STRLPBF - 100V 55A Logic-Level N-Channel MOSFET | Infineon
IRL2910STRLPBF ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRL2910STRLPBF | IRL2910STRRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (Infineon/IR) | IR MOSFET™ (Planar HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 55 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | 26 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | Logic-level (1V-2V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 93.3 nC | — |
| Power Dissipation @ TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation @ TC=25C | 200 W | — |
| Hộp | D2PAK (TO-263) Surface Mount | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (TJ) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Đông trùng haogen | Compliant (per GlobalSpec) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 55 A |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | — | 26 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 200 W |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Terminal Finish | — | Matte Tin over Nickel |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Yes (PBF suffix) |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |