IRLB4132PBF vs IRF3205ZSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLB4132PBF tarafından Infineon ve IRF3205ZSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLB4132PBF IRF3205ZSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 78 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 140 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 3.5 mOhm (typical) —
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) 1.0 V to 2.5 V —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Paket / Kas TO-220AB (through-hole, 3 leads) —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free PBF suffix) —
AEC-Q101 Automotive Qualification Not qualified (industrial/commercial) —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 110 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 76 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Paket — D2PAK (TO-263)
Packaging — Tape & Reel (left reel)
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — 1
Body Diode — Avalanche-rated intrinsic

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin